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一般的には、ゴム成形プレスで加硫したシリコーンゴム成形品などを
下記のようなBOX炉内に製品を投入して、２００℃〜２２０℃の高温で
１時間〜４時間の熱処理することを言います。
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様々な電気部品や一般製品に採用されているシリコーンゴム成形品ですが
実は大きな欠点を持っているのです。
その欠点とは・・・低分子シロキサンがゴム成分内に残留してしまうことです。
２次加硫の工程では、このゴム成分内に残留してしまう低分子シロキサンを
高温で長時間加熱処理することにより、揮発させゴム成分の中から除去をする
工程なのです。
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-Me2SI-O-単位が環を巻いた環状シロキサンを指します。
-Me3SI-O-単位が３個からなる３量体をＤ３、４量体はＤ４となり、１０量体は
Ｄ１０となります。
これらは、シリコーンの原料であり、オイルや加硫ゴムなどのシリコーンゴム製品
となった後にも微量に残ってしまったものです。（不純物ではありません）
この“低分子シロキサン”は揮発性で、電気接点部付近又は直接接触する
部分での使用などで、除去が不十分であると、電気接点障害を引き起こす
原因となります。
シリコーンゴムは電気絶縁性に非常に優れており、耐熱・耐寒性が良く広い温度
範囲でも、電気特性が変化しないのが特徴です。
そのシリコーンゴムの成分であるシロキサンの中で、揮発性が高い低分子シロキ
サンが、ゴム成分の中に残留している量が多いと、リレーやコネクタなどの電気
接点部のスパーク等によって絶縁物となり電気接点障害の原因の一つになると
言われています。
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シリコーンゴム成形品を２次加硫することにより、低分子シロキサンの残留量が
減少しますが、それは、２次加硫の温度・時間・成形品の厚みで比例していきます。
シリコーンメーカーが公表しているデータを参考例として、グラフで表示します。
国内大手シリコーンメーカーＴ社 汎用材（Ａ５０） |
最近の弱電メーカーの品質基準として、低分子シロキサンの残留量も規格として
明確にしており、その多くは、D4〜D10の量体の低分子シロキサンの残留量の
合計が３００PPM以下となっているところがほとんどです。
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